PECVD系统具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及台阶覆盖性，正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。适用于室温至1200℃条件下进行Si02、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，Sic膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合干有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
 

　　膜制备工艺在超大规模集成电路技术中有着非常广泛的应用，按照其成膜方法可分为两大类：物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。等离子增强型化学气相淀积(PECVD)是化学气相淀积的一种，其淀积温度低是它突出的优点。
 

　　结构组成：
 

　　PECVD系统主要由真空和压力控制系统、淀积系统、气体及流量控制、系统安全保护系统、计算机控制等部分组成。该技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上(即样品放置的托盘)产生辉光放电，利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度，然后通入适量的工艺气体，这些气体经一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。
 

　　工艺原理：
 

　　在反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至样品表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排出。