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漲知識!PECVD系統(tǒng)工藝干貨分享

時(shí)間:2024-12-12 點(diǎn)擊次數(shù):1818
   PECVD系統(tǒng)技術(shù)是在低氣壓下,利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上(即樣品放置的托盤)產(chǎn)生輝光放電,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的工藝氣體,這些氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。
  
  在反應(yīng)過程中,反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔,逐漸擴(kuò)散至樣品表面,在射頻源激發(fā)的電場作用下,反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。這些分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物,這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面,生成固態(tài)膜的晶核,晶核逐漸生長成島狀物,島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中,各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離,在真空泵的作用下從出口排出。
  
  主要用途:
  高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等,也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。
  
  PECVD系統(tǒng)工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子,就會使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng);借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng),很容易發(fā)生反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn);
  
  PECVD小型滑動(dòng)開啟式管式爐系統(tǒng)通過滑動(dòng)爐體來實(shí)現(xiàn)快速的升降溫,配置不同的真空系統(tǒng)來達(dá)到理想的真空度;同時(shí)通過多路高精度質(zhì)量流量計(jì)控制不同氣體。是實(shí)驗(yàn)室生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復(fù)合薄膜等的理想選擇。

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