CVD是化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)的縮寫,指高溫下的氣相反應(yīng),如金屬鹵化物、有機金屬、碳氫化合物等的熱分解、氫還原或其混合物氣體在高溫下的化學反應(yīng),以沉淀金屬、氧化物、碳化物和其他無機材料。這項技術(shù)最初是作為一種涂覆手段開發(fā)的,但目前不僅應(yīng)用于耐熱材料的涂覆,還應(yīng)用于高純度金屬的精煉、粉末合成、半導(dǎo)體膜等,這是一個頗具特色的技術(shù)領(lǐng)域。
CVD管式爐技術(shù)特點是:⑴可在低溫下合成高熔點材料;⑵沉淀物質(zhì)的形式有單晶、多晶、晶須、粉末、薄膜等;⑶它不僅可以涂覆在基材上,也可以涂覆在粉末表面上。特別是在低溫下,它可以合成高熔點的材料,為節(jié)能做出了貢獻。作為一項新技術(shù),它具有巨大的前景。 例如,a-Al2O3和SiC可以在約1000℃下合成,并朝著較低的溫度發(fā)展。
CVD工藝可分為兩種:一種是使金屬鹵化物與含碳、氮、硼等的化合物在氣相中發(fā)生反應(yīng);另一種是使加熱基材表面的原料氣體進行熱分解。
CVD裝置由氣化部分、載氣精制部分、反應(yīng)部分和廢氣處理部分組成。目前,正在開發(fā)用于大規(guī)模生產(chǎn)的新設(shè)備。
CVD在多組分系統(tǒng)的氣相中進行,包括原料氣、反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物氣、載氣等。因此,當涂覆時,在加熱的基材和流體之間的邊界上形成擴散層。該層的存在對涂層的密度有很大影響。圖2顯示了該擴散層的示意圖。這樣,雖然存在許多化學分子形成的擴散層,但其沉淀過程是復(fù)雜的。在粉末合成過程中,控制核的形成和生長是該過程的關(guān)鍵。
作為一種新的CVD技術(shù),有以下幾種:
(1) 具有流動層的CVD;
⑵流化床;
⑶熱解射流;
(4) 等離子CVD;
(5) 真空CVD等。
CVD管式爐的特點
沉積溫度低,膜組成易于控制,膜厚度與沉積時間成正比,均勻性、重復(fù)性和臺階覆蓋率良好。
CVD制備的必要條件
1) 在沉積溫度下,反應(yīng)物具有足夠的蒸汽壓力,并且可以以適當?shù)乃俣纫敕磻?yīng)室;
2) 除形成固體膜材料外,反應(yīng)產(chǎn)物必須是揮發(fā)性的;
3) 沉積的膜和基底材料必須具有足夠低的蒸汽壓。